High aspect ratio selective lateral etch using cyclic passivation and etching

WO2019027811 Art A1 7. Februar 2019

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019027811
Aktenzeichen: EP18841919
Anmeldetag: 26. Juli 2018
Veröffentlichung: 7. Februar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/3213H01L21/311H01L21/67H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von