Method for preparing bottom-gate low temperature poly-silicon transistor

WO2019028972 Art A1 14. Februar 2019

Anmelder: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019028972
Aktenzeichen: EP17921002
Anmeldetag: 21. September 2017
Veröffentlichung: 14. Februar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 China Star Optoelectronics (CSOT)

Chinesischer Displayhersteller mit Sitz in Shenzhen, Tochtergesellschaft des TCL-Konzerns. CSOT entwickelt und produziert LCD- und OLED-Panels für Fernseher, Monitore und mobile Endgeräte.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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