Method for manufacturing gallium nitride microcrystalline aggregate, and device for manufacturing gallium nitride microcrystalline aggregate

WO2019031501 Art A1 14. Februar 2019

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019031501
Aktenzeichen: EP18843463
Anmeldetag: 7. August 2018
Veröffentlichung: 14. Februar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: C01B21/06C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

1.047 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von