Vapor-deposited nanoscale ionic liquid gels as gate insulators for low-voltage high-speed thin film transistors

WO2019032253 Art A1 14. Februar 2019

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019032253
Aktenzeichen: EP18843636
Anmeldetag: 18. Juli 2018
Veröffentlichung: 14. Februar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01G11/04H01L21/02H01L51/00H01L51/05

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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