Method and device for incorporating single diffusion break into nanochannel structures of fet devices

WO2019035945 Art A1 21. Februar 2019

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019035945
Aktenzeichen: EP18846837
Anmeldetag: 16. August 2018
Veröffentlichung: 21. Februar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L29/417H01L29/78H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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