Reducing hot electron injection type of read disturb in 3d memory device having connected source-end select gates

WO2019036079 Art A1 21. Februar 2019

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019036079
Aktenzeichen: EP18727631
Anmeldetag: 14. Mai 2018
Veröffentlichung: 21. Februar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/34G11C16/26G11C16/04G11C11/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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