Apparatuses and methods for latching redundancy repair addresses at a memory

WO2019036229 Art A1 21. Februar 2019

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019036229
Aktenzeichen: EP18846326
Anmeldetag: 7. August 2018
Veröffentlichung: 21. Februar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: G11C29/00G11C29/44

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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