Method for forming gate structure of three-dimensional memory device

WO2019037509 Art A1 28. Februar 2019

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019037509
Aktenzeichen: EP18848474
Anmeldetag: 4. Juni 2018
Veröffentlichung: 28. Februar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11521H01L27/11551H01L27/11568H01L27/11578

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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