Seam-free silicon nitride gap-fill techniques for high aspect ratio trenches

WO2019040046 Art A1 28. Februar 2019

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019040046
Aktenzeichen: EP17922134
Anmeldetag: 22. August 2017
Veröffentlichung: 28. Februar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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