Hybrid Additive Structure Stackable Memory die Using Wire Bond

WO2019040203 Art A1 28. Februar 2019

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019040203
Aktenzeichen: EP18848949
Anmeldetag: 17. Juli 2018
Veröffentlichung: 28. Februar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/065H01L23/00H01L23/31H01L23/485

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von