Semiconductor device having laterally offset stacked semiconductor dies

WO2019040205 Art A1 28. Februar 2019

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2019040205
Aktenzeichen
EP18847356
Anmeldetag
17. Juli 2018
Veröffentlichung
28. Februar 2019
Rechtsraum
WO
IPC
H01L25/065H01L23/00H01L23/528
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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