Low temperature direct bonding of aluminum nitride to alsic substrates

WO2019040753 Art A1 28. Februar 2019

Anmelder: Georgia Tech Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019040753
Aktenzeichen: EP18848302
Anmeldetag: 23. August 2018
Veröffentlichung: 28. Februar 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/373H01L21/02F28F21/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Georgia Tech Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Georgia Tech Research Corporation

Die Georgia Tech Research Corporation ist die Einrichtung des Georgia Institute of Technology in den USA, die Forschungsverträge verwaltet und geistiges Eigentum der Universität lizenziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik

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