Tunneling field effect transistor 3d nand data cell structure and method for forming the same

WO2019041906 Art A1 7. März 2019

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019041906
Aktenzeichen: EP18851529
Anmeldetag: 24. Mai 2018
Veröffentlichung: 7. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/11578

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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