Memory cell structure of three-dimensional memory device

WO2019042103 Art A1 7. März 2019

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019042103
Aktenzeichen: EP18851456
Anmeldetag: 8. August 2018
Veröffentlichung: 7. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11578H01L27/11573

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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