Ferroelectric capacitor, ferroelectric field effect transistor, and method used in forming an electronic device comprising conductive material and ferroelectric material

WO2019045927 Art A1 7. März 2019

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019045927
Aktenzeichen: EP18849674
Anmeldetag: 30. Juli 2018
Veröffentlichung: 7. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11514H01L27/11507

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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