High temperature gate driver for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

WO2019046033 Art A1 7. März 2019

Anmelder: University of Houston System 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019046033
Aktenzeichen: EP18762974
Anmeldetag: 21. August 2018
Veröffentlichung: 7. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H03K17/082H03K17/14H03K17/687H03K17/691

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: University of Houston System
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of Houston System

Der Anmelder ist der Universitätsverbund der University of Houston in den USA. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Halbleiterbauelemente sowie auf Messtechnik, organische Chemie und Pharma- und Biotechnologie. Anmeldungen laufen seit dem Jahr 2000 durchgehend fort.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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