Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

WO2019046374 Art A1 7. März 2019

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019046374
Aktenzeichen: EP18852327
Anmeldetag: 29. August 2018
Veröffentlichung: 7. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/092H01L21/8234H01L21/027H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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