Self-aligned top gate itzo thin film transistor and manufacturing method therefor

WO2019047336 Art A1 14. März 2019

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019047336
Aktenzeichen: EP17924169
Anmeldetag: 19. Oktober 2017
Veröffentlichung: 14. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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