Ferroelectric memory integrated circuit, and operation method and preparation method therefor

WO2019047489 Art A1 14. März 2019

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019047489
Aktenzeichen: EP18854297
Anmeldetag: 28. Februar 2018
Veröffentlichung: 14. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/22H01L27/11502

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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