Semiconductor memory device structure
WO2019047886
Art A1
14. März 2019
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019047886
- Aktenzeichen
- EP18854513
- Anmeldetag
- 6. September 2018
- Veröffentlichung
- 14. März 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L27/108H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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