Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device production method

WO2019049572 Art A1 14. März 2019

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019049572
Aktenzeichen: EP18852952
Anmeldetag: 3. August 2018
Veröffentlichung: 14. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/3205H01L21/60H01L21/768H01L23/522H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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