Method for forming insulating film, apparatus for processing substrate, and system for processing substrate

WO2019049735 Art A1 14. März 2019

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019049735
Aktenzeichen: EP18852818
Anmeldetag: 28. August 2018
Veröffentlichung: 14. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/312B05C9/12B05C9/14B05C13/02B05D1/36B05D3/02B05D3/06B05D7/24H01L21/76B05C11/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Verfahrens- & Trenntechnik

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