Silicon substrate to be used for production of epitaxial silicon thin film, and method for producing same

WO2019049876 Art A1 14. März 2019

Anmelder: Tokyo Institute of Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019049876
Aktenzeichen: EP18853812
Anmeldetag: 5. September 2018
Veröffentlichung: 14. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20C23C14/00C23C14/02C23C14/14C30B25/02C30B29/06H01L21/203H01L21/316H01L31/0392H01L31/068H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Institute of Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

Japanische technische Universität in Tokio mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Seit 2024 firmiert sie im Zuge einer Fusion als Institute of Science Tokyo.

739 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von