Bottom-Up Approach To High Aspect Ratio Hole Formation in 3D Memory Structures

WO2019050714 Art A1 14. März 2019

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019050714
Aktenzeichen: EP18853975
Anmeldetag: 28. August 2018
Veröffentlichung: 14. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/06H01L27/07H01L21/768H01L21/283H01L21/321H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.780 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von