High Radiation Detection Performance From Photoactive Semiconductor Single Crystals

WO2019051056 Art A1 14. März 2019

Anmelder: Northwestern University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019051056
Aktenzeichen: EP18853005
Anmeldetag: 6. September 2018
Veröffentlichung: 14. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: G01K11/30H01L31/117H01L31/118

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Northwestern University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northwestern University

Private US-amerikanische Universität mit Hauptsitz in Evanston, Illinois, bekannt für Forschung in Ingenieurwissenschaften, Medizin und Materialwissenschaften.

861 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von