Electrochemical doping of thin metal layers employing underpotential deposition and thermal treatment
WO2019051138
Art A1
14. März 2019
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019051138
- Aktenzeichen
- EP18853908
- Anmeldetag
- 7. September 2018
- Veröffentlichung
- 14. März 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C18/16C23C18/54C25D5/18C25D5/50C25D21/12C25D5/10H01L21/768H01L21/288
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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