Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

WO2019053573 Art A1 21. März 2019

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019053573
Aktenzeichen: EP18856701
Anmeldetag: 10. September 2018
Veröffentlichung: 21. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L21/8234H01L21/8242H01L27/06H01L27/088H01L27/108H01L27/1156H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von