Memory circuit device and method for using same
WO2019054495
Art A1
21. März 2019
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019054495
- Aktenzeichen
- EP18855363
- Anmeldetag
- 14. September 2018
- Veröffentlichung
- 21. März 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/16G06F5/10G06F12/00G11C8/10H03K19/177
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Vertreten von
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