Substrate for epitaxial growth, method for manufacturing substrate for epitaxial growth, epitaxial substrate, and semiconductor element
WO2019058467
Art A1
28. März 2019
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019058467
- Aktenzeichen
- EP17925879
- Anmeldetag
- 20. September 2017
- Veröffentlichung
- 28. März 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B25/02C30B29/36C30B29/38C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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