Sputtering target, manufacturing method for layered film, layered film, and magnetic recording medium

WO2019058820 Art A1 28. März 2019

Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019058820
Aktenzeichen: EP18858170
Anmeldetag: 16. August 2018
Veröffentlichung: 28. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C23C14/14G11B5/64G11B5/851H01F41/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JX Nippon Mining & Metals Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JX Nippon Mining & Metals

JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.

1.069 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von