Method for producing semiconductor device using silicon carbide semiconductor substrate

WO2019059102 Art A1 28. März 2019

Anmelder: Denso Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019059102
Aktenzeichen: EP18858660
Anmeldetag: 13. September 2018
Veröffentlichung: 28. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20G03F9/00H01L21/68

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Denso Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Denso

Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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