Methods Used in Forming an Array Of Elevationally-Extending Transistors
WO2019060132
Art A1
28. März 2019
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019060132
- Aktenzeichen
- EP18857914
- Anmeldetag
- 4. September 2018
- Veröffentlichung
- 28. März 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11524H01L27/1157H01L27/02H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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