Sinker to buried layer connection region for narrow deep trenches

WO2019060419 Art A1 28. März 2019

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019060419
Aktenzeichen: EP18859618
Anmeldetag: 19. September 2018
Veröffentlichung: 28. März 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/822H01L21/76H01L27/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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