Pattern forming method, ion implantation method, method for producing solid-state imaging element, multilayer resist film, and active light sensitive or radiation sensitive resin composition
WO2019064970
Art A1
4. April 2019
Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019064970
- Aktenzeichen
- EP18862905
- Anmeldetag
- 13. August 2018
- Veröffentlichung
- 4. April 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/095G03F7/039G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJIFILM Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujifilm
Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.
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