Semiconductor device

WO2019065208 Art A1 4. April 2019

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019065208
Aktenzeichen: EP18861173
Anmeldetag: 11. September 2018
Veröffentlichung: 4. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/768H01L23/522H01L29/41H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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