Resistive memory devices based on metal coordinated redox active ligands

WO2019066729 Art A1 4. April 2019

Anmelder: National University of Singapore, Indian Association for The Cultivation of Science 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019066729
Aktenzeichen: EP18860272
Anmeldetag: 1. Oktober 2018
Veröffentlichung: 4. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: C07F15/00G11C13/00H01L27/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National University of Singapore
Indian Association for The Cultivation of Science
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 National University of Singapore

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Organische Chemie

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