Multi-Gate Thin Film Transistor Memory

WO2019066791 Art A1 4. April 2019

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019066791
Aktenzeichen: EP17926451
Anmeldetag: 27. September 2017
Veröffentlichung: 4. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L29/78H01L21/28H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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