Gallium nitride transistors with drain field plates and their methods of fabrication

WO2019066877 Art A1 4. April 2019

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019066877
Aktenzeichen: EP17926697
Anmeldetag: 28. September 2017
Veröffentlichung: 4. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/423H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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