Multilayer insulator stack for ferroelectric transistor and capacitor
WO2019066962
Art A1
4. April 2019
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019066962
- Aktenzeichen
- EP17927352
- Anmeldetag
- 29. September 2017
- Veröffentlichung
- 4. April 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L29/66H01L29/51H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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