Memory cell with oxide cap and spacer layer for protecting a floating gate from a source implant
WO2019067575
Art A1
4. April 2019
Anmelder: Microchip Technology Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019067575
- Aktenzeichen
- EP18786574
- Anmeldetag
- 26. September 2018
- Veröffentlichung
- 4. April 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/28H01L29/423H01L29/788
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Microchip Technology Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Microchip Technology
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.
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