Fabrication of lateral superjunction devices using selective epitaxy

WO2019068001 Art A1 4. April 2019

Anmelder: The Texas A&M University System 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019068001
Aktenzeichen: EP18861603
Anmeldetag: 28. September 2018
Veröffentlichung: 4. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Texas A&M University System
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas A&M University System

Verbund staatlicher Hochschulen und Forschungseinrichtungen in Texas, USA, mit breiter Forschungstätigkeit unter anderem in Agrarwissenschaft, Technik und Medizin.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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