A memory device comprising aluminum oxide phosphate with tunable traps and method thereof

WO2019069262 Art A1 11. April 2019

Anmelder: Indian Institute Of Science 🇮🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019069262
Aktenzeichen: EP18864317
Anmeldetag: 4. Oktober 2018
Veröffentlichung: 11. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00H01L27/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Indian Institute Of Science
Land: 🇮🇳 Indien

🇮🇳 Indian Institute of Science

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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