Fabrication method for low-temperature polysilicon thin-film and transistor
WO2019071692
Art A1
18. April 2019
Anmelder: HKC Corporation Limited 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019071692
- Aktenzeichen
- EP17928207
- Anmeldetag
- 9. November 2017
- Veröffentlichung
- 18. April 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/12H01L21/77
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- HKC Corporation Limited
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
HKC
HKC ist ein chinesischer Hersteller von Flachbildschirmen und Display-Panels für Fernseher, Monitore und mobile Endgeräte.
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