Method for double-sided interconnected silicon-based igbt module employing low-temperature sintering of nano silver

WO2019071743 Art A1 18. April 2019

Anmelder: Tianjin University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019071743
Aktenzeichen: EP17928666
Anmeldetag: 24. November 2017
Veröffentlichung: 18. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/07H01L23/488

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tianjin University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tianjin University

Die Tianjin University ist eine der ältesten technischen Hochschulen Chinas mit Sitz in Tianjin. Ihr Patentportfolio deckt breit die Elektronik- und Schaltungstechnik ab, ergänzt durch organische Chemie sowie Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik. Anmeldungen sind seit 2002 belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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