Method for producing heteroepitaxial junctions with mesh agreement, made up of a thin crystalline layer of p-type delafossite on an n-type zno crystalline substrate
WO2019072528
Art A1
18. April 2019
Anmelder: Centre National de la Recherche Scientifique, Université Grenoble Alpes 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2019072528
- Aktenzeichen
- EP18769735
- Anmeldetag
- 24. September 2018
- Veröffentlichung
- 18. April 2019
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/08C23C14/28C30B23/02C30B29/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Centre National de la Recherche Scientifique
Université Grenoble Alpes - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
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🇫🇷
Université Grenoble Alpes
Französische Universität mit Sitz in Grenoble, entstanden aus Zusammenschluss mehrerer Hochschulen, mit Lehre und Forschung in Natur-, Ingenieur-, Geistes- und Sozialwissenschaften.
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