Semiconductor devices having heterojunctions of an aluminum gallium nitride ternary alloy layer and a second iii nitride ternary alloy layer

WO2019073409 Art A1 18. April 2019

Anmelder: King Abdullah University Of Science And Technology 🇸🇦

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019073409
Aktenzeichen: EP18796758
Anmeldetag: 10. Oktober 2018
Veröffentlichung: 18. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: King Abdullah University Of Science And Technology
Land: 🇸🇦 Saudi-Arabien

🇸🇦 KAUST

Saudi-arabische Forschungsuniversität in Thuwal am Roten Meer, gegründet 2009, mit Schwerpunkten in Ingenieurwissenschaften, Materialforschung und angewandten Naturwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von