High thermal stability by doping of oxide capping layer for spin torque transfer (stt) magnetic random access memory (mram) applications

WO2019074945 Art A1 18. April 2019

Anmelder: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 🇹🇼

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019074945
Aktenzeichen: EP18797258
Anmeldetag: 9. Oktober 2018
Veröffentlichung: 18. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/08H01L43/10H01L43/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
Land: 🇹🇼 Taiwan

🇹🇼 Taiwan Semiconductor Manufacturing

Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) ist der weltweit größte reine Halbleiter-Auftragsfertiger mit Sitz in Hsinchu, Taiwan. Der weit überwiegende Teil des Patentportfolios betrifft Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis 2022.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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