Three-Step Pre-Wetting Method in Through-Silicon-Via Electroplating

WO2019075898 Art A1 25. April 2019

Anmelder: Huazhong University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019075898
Aktenzeichen: EP17929259
Anmeldetag: 19. Dezember 2017
Veröffentlichung: 25. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768C25D7/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Huazhong University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Huazhong University of Science and Technology

Die Huazhong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit Sitz in Wuhan und breiter technischer sowie medizinischer Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software und Medizintechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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