Iii-nitride semiconuctor devices having a boron nitride alloy contact layer and method of production

WO2019077474 Art A1 25. April 2019

Anmelder: King Abdullah University Of Science And Technology 🇸🇦

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2019077474
Aktenzeichen: EP18797133
Anmeldetag: 15. Oktober 2018
Veröffentlichung: 25. April 2019
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/40H01L29/45H01L33/02H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: King Abdullah University Of Science And Technology
Land: 🇸🇦 Saudi-Arabien

🇸🇦 KAUST

Saudi-arabische Forschungsuniversität in Thuwal am Roten Meer, gegründet 2009, mit Schwerpunkten in Ingenieurwissenschaften, Materialforschung und angewandten Naturwissenschaften.

956 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von