Nanosheet transistors with different gate dielectrics and workfunction metals

WO2019077485 Art A1 25. April 2019

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2019077485
Aktenzeichen
EP18868113
Anmeldetag
16. Oktober 2018
Veröffentlichung
25. April 2019
Rechtsraum
WO
IPC
H01L27/092H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
International Business Machines Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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